Высокие чистые части иона вживления продуктов молибдена в индустрии полупроводника

Характер продукции

Высоко-чистые части иона вживления Moly в индустрии полупроводника

Части иона вживления Moly технология луча иона которая ионизирует атомы элементов в ионы, ускоряют ход их на напряжении тока десяток к сотням kV, и после этого имплантируют их в материал workpiece помещенный в камере цели вакуума после получать быстрый ход. поверхность.

После вживления иона, свойства медицинского осмотра, химических и механических материальной поверхности изменят значительно. Непрерывное сопротивление носки поверхности металла может достигнуть 2 до 3 порядка величины начальной глубины впрыски.

СПЕЦИФИКАЦИЯ & ХИМИЧЕСКИЕ СОСТАВЫ (NOMINALS)

ПРИМЕНЕНИЯ частей иона вживления Moly

• Прессформы точности в индустрии полупроводника, штемпелюя и штемпелюя прессформы в индустрии консервной банки могут значительно улучшить срок пригодности этих прессформы ценности и точности;
• Компоненты соединения движения точности, как статор и ротор насоса извлечения воздуха, кулачок и цыпленок волчка, поршеня, подшипника, шестерни, штанги вортекса турбины, etc., могут значительно уменьшить коэффициент трением, улучшить сопротивление носки и коррозионную устойчивость, и увеличивают срок службы до больше чем 100 раз;
• Горячая прессформа штранг-прессования и впрыски может уменьшить энергопотребление около 20% и увеличить срок службы около 10 раз;

Изображение частей вживления иона Moly:

Преимущества технологии частей иона вживления Moly:

(1) чистая свободная от загрязнени технология поверхностного покрытия;

(2) для этого не нужна термальная активация и высокотемпературная окружающая среда, поэтому оно не изменит общий размер и поверхностный финиш workpiece;

(3) слой вживления иона новый поверхностный слой сформированный серией медицинского осмотра и химических взаимодействий между лучем иона и поверхностью субстрата, и никакая слезая проблема между ей и субстратом;

(4) там никакая потребность для подвергать механической обработке и термической обработки после вживления иона.